Free access
Issue
J. Chim. Phys.
Volume 95, Number 3, March 1998
Page(s) 586 - 594
DOI http://dx.doi.org/10.1051/jcp:1998170
DOI: 10.1051/jcp:1998170


J. Chim. Phys. Vol. 95, N°3  p. 586-594

Diodes électroluminescentes obtenues par IBAD (dépôt assisté par faisceau d'ions) d'un matériau organique (Alq 3)

R. Antony, A. Moliton and B. Ratier

Unité de Microélectronique, Optoélectronique et Polymères (UMOP), Faculté des Sciences, 87060 Limoges cedex, France

Abstract
We present the foundations of our arguments to enhance the quantum efficiency of organic light-emitting diodes prepared by vapor deposition of 8-tris-hydroxyquinoline aluminium. By ion beam assisted deposition (IBAD) realized with 100 eV Iodine ions, we enhance by a factor 10 the quantum efficiency; we attribute this beneficial effect ot the densification of the layer in the vicinity of the recombination area where oxygen diffusion is then limited.

Résumé
Dans cet article, nous présentons la démarche entreprise pour parvenir à augmenter le rendement quantique interne de diodes électroluminescentes à base d'un matériau moléculaire : le 8-tris-hydroxyquinoline aluminium (Alq 3). Le procédé de dépôt assisté par faisceau d'ions (IBAD) réalisé avec des ions Iode de 100 eV, permet d'augmenter d'un ordre de grandeur ce rendement ; l'étude en fonction de la localisaiton en épaisseur du dépôt assisté par le faisceau d'ions permet d'attribuer cet effet bénéfique à la densification du matériau, avec limitation de la diffusion de la vapeur d'eau et de l'oxygène dans la zone de recombinaison siège du processus d'émission lumineuse.


Key words: électroluminescence -- diodes organiques -- IBAD (dépôt assisté par faisceau d'ions) -- Alq 3 (8-tris-hydroxyquinoline aluminium)
Contents

© EDP Sciences 1998