Free access
Issue
J. Chim. Phys.
Volume 95, Number 6, June 1998
Page(s) 1359 - 1362
DOI http://dx.doi.org/10.1051/jcp:1998283
DOI: 10.1051/jcp:1998283


J. Chim. Phys. Vol. 95, N°6  p. 1359-1362

Effet de l'énergie du faisceau d'ions servant à l'assistance du dépôt de matériaux organiques utilisés pour réaliser des diodes électroluminescentes

R. Antony, A. Moliton and B. Ratier

UMOP, Faculté des Sciences, 123 avenue Albert Thomas, 87060 Limoges cedex, France

Abstract
Light emitting diode based on the structure ITO/Alq3/Ca-Al lead to enhanced quantum efficiency when the Alq3 active layer is obtained by IBAD (Ion Beam Assisted Deposition): with Iodine ions, the optimization (quantum efficiency multiplied by a factor 10) is obtained for an ion energy equal to 100 eV.

Résumé
La réalisation de diodes électroluminescentes basées sur la structure ITO/Alq3/Ca-Al conduit à des performances améliorées lorsque le dépôt de la couche active Alq3 est effectué avec l'assistance d'un faisceau d'ions ; l'optimisation (rendement quantique interne accru d'un ordre de grandeur) correspond à des ions Iode d'énergie 100 eV.


Key words: diodes électroluminescentes -- Alq3 -- dépôt assisté par faisceau d'ions
Contents

© EDP Sciences 1998