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Issue
J. Chim. Phys.
Volume 95, Number 6, June 1998
Page(s) 1483 - 1486
DOI http://dx.doi.org/10.1051/jcp:1998310
DOI: 10.1051/jcp:1998310


J. Chim. Phys. Vol. 95, N°6  p. 1483-1486

Utilisation de faisceaux d'ions oxygène réactifs pour la gravure de polymères utilisables en optoélectronique

C. Moussant1, B. Lucas1, B. Ratier1, A. Moliton1 and B. François2

1  UMOP, Faculté des Sciences, 123 avenue Albert Thomas, 87060 Limoges cedex, France
2  LCOP, Université de Pau, Helioparc, 2 avenue du Président Angot, 64000 Pau, France

Abstract
Reactive Ion Beam Etching (RIBE) of a fluorinated polyimide (6FDA-ODA) has been achieved with Oxygene ions. A 5keV and 0.5mA/cm 2 ion beam leads to a 500 Å/mn sputtering speed of the material. A similar behavior was also observed in the case of PPP.

Résumé
La gravure d'un polyimide fluoré (6FDA-ODA) a été réalisée par un faisceau parallèle d'ions oxygène réactifs (Réactive Ion Beam Etching : RIBE). Pour une énergie des ions de 5keV et à des densités de courant de l'ordre de 0.5mA/cm 2 une vitesse de gravure de 500 Å/mn a été obtenue pour ce matériau. Avec le PPP un comportement voisin a été également observé.


Key words: RIBE -- pulvérisation -- polyimide -- polyparaphénylène
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© EDP Sciences 1998