Free access
Issue
J. Chim. Phys.
Volume 95, Number 6, June 1998
Page(s) 1363 - 1366
DOI http://dx.doi.org/10.1051/jcp:1998284
DOI: 10.1051/jcp:1998284


J. Chim. Phys. Vol. 95, N°6  p. 1363-1366

Utilisation d'une couche isolante ferroélectrique (PZT) pour l'amélioration des transistors MISFET organiques

O. Tharaud1, G. Velu2, D. Remiens2, C. Legrand1, 3 and A. Chapoton1

1  IEMN DHS-USTL, UMR 9929 du CNRS, avenue Poincaré, BP. 69, 59652 Villeneuve-d'Ascq cedex, France
2  LAMAC-UVHC, 59600 Maubeuge, France
3  LEMCEL, Université du Littoral, Côte d'Opale, rue Louis David, BP. 689, 62228 Calais cedex, France

Abstract
This work concerns the realization of an organic MISFET transistor based on an active layer of sexithiophene (6T). In this study, a ferroelectric layer of Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) is used as the insulating layer of the MISFET. An improvement of performances results of the high permittivity of the material: driving voltage decreased by a factor ten, transconductance increase. A memory effect is thinkable.

Résumé
Le travail présenté concerne la réalisation de transistors à effet de champ MISFET à couche active d'oligomères de sexithiophène (6T). Dans cette étude, nous utilisons comme isolant un film ferroéléctrique : le Pb(Zr,Ti)O3 (PZT). La permittivité élevée du matériau montre une amélioration des performances (diminution des tensions de fonctionnement d'un ordre de grandeur, augmentation de la transconductance) et permet d'envisager un effet mémoire.


Key words: transistor MISFET -- couche active organique $\alpha$(6T) -- couche isolante ferroélectrique (PZT)
Contents

© EDP Sciences 1998