Les mécanismes élémentaires en cinétique hétérogène

V. — Influence de la pression en régimes purs. Cas des différents mécanismes de diffusion^*

Laboratoire de Chimie Minérale de la Faculté des Sciences, 39-41, boulevard Gambetta. Grenoble, France.

Résumé

On étend aux différents mécanismes de diffusion les résultats précédemment obtenus dans le cas de la diffusion métallique par interstitiels.

On vérifie d’abord que, quel que soit le mode de formulation des défauts de réseau et le modèle choisi pour interpréter la diffusion (modèle des sauts d’électrons ou modèle des bandes), il n’y a que deux cas à distinguer, selon que le produit de réaction est conducteur n ou p.

Le cas n ayant été traité précédemment, on établit ensuite les équations générales dans le cas d’une conductibilité p et on les résoud pour les différents régimes purs. Il est alors possible d’établir un tableau général donnant, pour chaque régime et pour chaque type de conductibilité, la loi cinétique et l’influence de la pression du gaz sur cette loi.

Abstract

The results previously obtained in the case of metallic diffusion through interstitial sites, are extended to the other mechanisms of diffusion.

It is first ascertained that, whatever formulation of crystal defects or diffusion model (hopping electron model or band model) is chosen, there are only two cases to be distinguished, depending on wether the reaction product is a n ou p conductor.

The First case has been previously treated. General equations are now established for the second one. It is thus possible to give for every pure rate law and for each type of conductivity the relation between reaction rate and gas pressure.