Illustration d’une systématique des phases électroniques binaires ou ternaires de densité électronique inférieure ou égale à 1,5 électrons libres par atome par des exemples particuliers tirés du diagramme ternaire or-cuivre-gallium

¹ Laboratoire de Thermodynamique Métallurgique de l’ Université de Nancy 1, L.A. au CNRS n° 159, Case officielle n° 140, 54037 Nancy Cedex, France.
² Laboratoire de Minéralogie et Cristallographie de V Université de Nancy I, ERA au CNRS n° 162, France.
³ Laboratoire de Chimie Minérale Appliquée de V Université de Nancy I, L.A. au CNRS n° 158, France.

Résumé

Un enrichissement en électrons de valence des solutions solides à base de métaux nobles or et cuivre est obtenu par des substitutions progressives de gallium. De nombreuses phases ordonnées complexes apparaissent dont les structures sont interprétées en utilisant la notion d’empilement de plans denses ordonnés. Deux familles de phases sont distinguées : les phases α_n compactes de densité électronique inférieure à 1,36 électrons par atome et les phases ß_n de densité électronique 1,50. Les phases ß_n subissent à basse température des cisaillements bainitiques ou martensitiques.

Abstract

An increase in the valence electron density of the solid solutions of the noble metals gold and copper is obtained by the progressive addition of gallium. Numerous complex ordered phases appear which are explained by utilizing the notion of the stacking of dense ordered planes. Two families of phases are distinguished. The compact phases α_n with a_n electron density less than 1.36 electrons/atom and the phases ß_n with 1.50. The phases ß_n display at low temperature bainite or martensite transformations.