Influence du caractère semiconducteur de certains minéraux sur l'adsorption des tensioactifs. application au système galene-xanthate^*

Laboratoire de Physicochimie des Systèmes Polyphasés, U A 330, CNRS, Route de Mende, B. P. 5051, 34033 Montpellier Cedex France.

Résumé

L'impédance d'une électrode de galène a été étudiée dans une large gamme de fréquences en fonction du potentiel stationnaire avec et sans xanthate. Les mesures montrent que l'impédance basses fréquences est déterminée par la charge d'espace d'un semiconducteur n dans la région dite de couche appauvrie. Aux hautes fréquences, on note l'existence d'une autre capacité et d'une impédance de diffusion. Les résultats mettent en évidence l'adsorption physique des ions OH^- et X^- avant que n'intervienne leur oxydation. Les résultats contribuent à expliquer les comportements observés en présence de tensioactifs adsorbés sur des particules minérales, par exemple lors de traitements par flottation où le potentiel interfacial résulte d'un couple oxydant-réducteur.

Abstract

The impedance of a natural galena electrode has been studied as a function of frequency and steady potential and with xanthate (X- ) addition. The capacity observed in the low frequency range is due to the depletion layer of a semiconductor n and to an oxide film. Another capacity and a diffusion impedance appear for the highest frequencies. The results are analysed in terms of physical adsorption of OH_- and X_- prior to their oxidation. These results can help to explain some behaviours observed when surfactants are adsorbed at minerals particles for example in flotation plants where the interfacial potential is chemically imposed through an oxidation-reduction couple.