Structural and electronic properties of the layer semiconductor Znln₂S₄

¹ Dipartimento di Scienze Fisiche dell'Università di Cagliari, Italy
² Istituto di Fisica Superiore dell'Università di Cagliari, Italy

Abstract

The ternary compound ZnIn₂S₄ crystallizes in a number of layer-like polytypes, all of which characterized by the coexistence of both tetrahedral and octahedral bonds. The structural and electronic properties of its most common polytype, the a-phase, have been investigated by using a first principle density-functional pseudopotential approach and two sets of norm conserving pseudopotentials. While both sets have given results in good agreement with the experiment, some non negligible differences have been found.

Résumé

Le composé ternaire ZnIn₂S₄ cristallise dans de nombreux polytypes à structure en couches, tous caractérisés par la cohésistence de liaisons soit tétraédriques soit octaédriques. Nous avons étudié les propriétés structurales et électroniques de son polytype le plus commun, la modification a, en employant la method du fonctionnel de la densité et deux sets de pseudopotentiels norm-conserving. En utilisant tous les deux sets nous avons obtenu des résultats en bon accord avec les données expérimentales, mais il y a à souligner quelques différences pas négligeables.