Utilisation d'une couche isolante ferroélectrique (PZT) pour l'amélioration des transistors MISFET organiquesO. Tharaud, G. Velu, D. Remiens, C. Legrand and A. ChapotonJ. Chim. Phys., 95 6 (1998) 1363-1366DOI: https://doi.org/10.1051/jcp:1998284