A mndo and cndo/s study of molecular geometry and electronic structure of dithienothiophenes

Dipartimento di Scienze Chimiche, Università di Catania, Viale A. Doria 6, 95125 Catania (Italy)

Abstract

The molecular geometries and electronic structures of the six isomeric dithienothiophenes, deriving from thieno[2,3-b]thiophene, thieno[3,2-b]thiophene and thieno[3,4-b]thiophene by adding a third thiophene ring variously oriented, have been studied by means of MNDO and CNDO/S methods. The optimized geometry of each compound, on the whole, do not show remarkable changes with respect to the one of the corresponding bycyclic parent. The calculated electronic transitions account for the absorption maxima reported in the literature in a satisfactory way, but for dithieno[3,2-b:3',4'd]thiophene some doubts in the assignment were not entirely resolved. The transition predicted in the range 5.3-5.5 eV and the related experimental band are a peculiarity both of dithieno- and of thienothiophenes.

Résumé

Les géométries moléculaires et les structures électroniques des six isomères du thiénothiophéne, dérivées du thiéno[2,3-b]thiophéne, thiéno[3,2-b]thio- phéne et thiéno[3,4-b]thiophéne par l'addition d'un troisième cycle thiophénique, ont été étudiées par les méthodes MNDO et CNDO/S. En général la géométrie optimisée de chacque composé n'est pas très différent de la géométrie du composé bi- cyclique correspondant. Les transitions électroniques calculées rendent convenablement compte des maximums d'absorption reportées dans la littérature, mais pour le dithiéno[3,2-b;3',4'-d]thiophéne l'esplication proposée n'est pas univoque. La transition calculée dans la région 5.3-5.5 eV et la correspondante bande expérimentale sont caractéristiques aussi bien pour les dithiéno- que pour les thiénothiophénes.