Influence des phénomènes superficiels au cours d’une diffusion d’impureté dans le silicium

Centre National d’Etudes des télécommunications, France.

Résumé

Une étude précédente (J. chim. Phys., juin 59, 593) ayant montré l’existence pendant les diffusions dans le silicium, d’une source superficielle d’impureté formée durant la période de prédiffusion, la présente étude examine en détail les conditions thermodynamiques de formation d’une telle source pour différentes impuretés (B, P, Ga, Al). Elle envisage quelques méthodes susceptibles de nous renseigner sur ses propriétés globales (géométrie, propriétés élastiques et électriques). L’exposé théorique et déductif s’insère dans un abondant contexte technique et méthodologique susceptible d’inspirer des procédés nouveaux basés sur une connaissance et un contrôle plus efficace des phénomènes.