Conductivité électrique de l’oxyde de gallium alpha

Laboratoire de Cinétique Chimique de la Faculté des Sciences de Paris Equipe de Recherche Associée au CNRS, n° 24, 1, rue Guy de la Brosse, Paris, 5 e France.

Résumé

L’oxyde de gallium alpha préparé par décomposition de l’hydroxyde de gallium GaOOH sous pression réduite est un semi-conducteur de type n. L’adsorption de l’oxygène sur ce solide entraîne d'importantes variations de conductivité et l’allure de ces variations dépend de la pression d’oxy- gène. Les résultats obtenus sont interprétés en admettant que la suppression des niveaux donneurs superficiels causée par l’adsorption d’oxygène peut, lorsque la pression de ce gaz est faible, être compensée par l’apparition de nouveaux donneurs en raison de la migration de certains défauts de réseau vers la surface du solide.

Abstract

The alpha gallium oxide prepared by decomposition of gallium hydroxide GaOOH in vacuo is a n-type semiconductor. Oxygen adsorption onto this solid leads to important conductivity changes and the direction of these variations depends on the oxygen pressure. At low oxygen pressure, the migration of lattice defects towards the surface is assumed to balance the concentration decrease of surface donor levels which is induced by oxygen adsorption.