Propriétés électroniques du sulfure d’étain fritté

Laboratoire de Chimie Structurale associé au CNRS. Faculté des Sciences de Pau. Groupe de Chimie Physique. Avenue Philippon, 64-Pau, Basses-Pyrénées , France.

Résumé

La variation du nombre de porteurs de charge a été déterminée sur des échantillons frittés de sulfure d’étain portés à l’équilibre à différentes températures, en fonction de la pression de soufre. Ces résultats expérimentaux conduisent à adopter un modèle électronique, suivant lequel ce sulfure ne contient que des lacunes d’étain doublement ionisées. L’étude de la variation du coefficient de HALL, en fonction de la température a permis de déterminer l’énergie d’ionisation, l’énergie d'association des lacunes d’étain et la largeur de bande interdite.

Abstract

The variation of the number of charge carriers has been determined on pellets of stannous sulphide exposed to various temperatures against the pressure of sulfur-vapor. These experimental data lead to adopt an electronic model according to which, this sulphide only contains doubly ionised tin vacancies. By means of the variation of HALL coefficient against temperature, various energies such as the ionisation energy, the association energy of tin vacancies and the forbidden band gap have been calculated.