Etude de l’interface Pd/Al²O₃ application aux phénomènes de mouillage et d’adhésion

¹ Laboratoire de Microscopie & Diffractions Electroniques Rue Henri Poincaré, 13397 Marseille cedex 13., France.
² DPC. C.E.N. Saclay, France.

Résumé

Nous exposons dans cet article les résultats d’une étude de la formation de l’Interface Pd/Al₂O₃ obtenus par Spectrométrie Auger (AES), diffraction d’électrons (LEED et TED) et microscopie électronique (TEM). Après avoir caractérisé chimiquement et cristallographiquement le plan (1012) d’un monocristal d’alumine a nous mettons en évidence par (A.E.S) les différentes étapes de la croissance d’un film de palladium condensé sous ultra-vide sur ce substrat : adsorption d’atomes Isolés, diffusion dans le substrat, nucléation et croissance de cristallites tridimensionnels. Les observations en TEM et TED permettent d’établir les relations épitaxiques dépôt-support qui sont corrélées à la structure lacunaire de la surface.

Abstract

In this paper are given the results of a Pd/Al₂O₃ Interface building study. They are obtained by Auger Spectrometry (AES), electron diffraction (LEED and TED) and electron microscopy (TEM) investigations. The (1012) surface of a sapphire substrate Is characterized and the growth stages of a Palladium film obtained by vapor deposition are determined by AES : adsorption of adatoms, Indlffuslon, nucléation and 3D growth. The epitaxial relationships (deposlt-substrat) are given by TEM and TED, It Is shown that they are related to the vacancies structure of the surface.