Investigation of photomоdified semiconductor/ electrolyte interfaces : The n-lnSe/CulSe₃-Se°/polyiodide system

¹ CNRS, Laboratoire de Physique des Solides de Bellevue, 1 place Aristide Briand, 92195 Meudon Cedex (3) France
² Hahn-Meitner Institut, Bereich Strahlenchemie, D-IOOO Berlin Germany
³ Brooklyn College, Department of Physics, New York, 11210 USA
⁴ Weizmann Institute of Sciences, Solide State Chemistry department, 76100 Rehovot, Israël France

Abstract

An overlayer of CulSe3-Se° of i to 2 µm was photogenerated at the surface of n-InSe electrodes in a solution of copper polyiodide. The morphology, chemical composition, and crystal structure of these films were characterized by SEM, EDAX, X-ray diffraction under grazing incidence, ESCA and SIMS. The spectral properties were characterized by spectral photoresponse and photoreflectance and they were correlated with photoelectrochemicl1 and EBIC studies in order to determine the mechanism of charge transport across such layers.

Résumé

Une couche mince de CuISeß-Se0 qui peut atteindre une épaisseur de 1 à 2µm est générée photoélectrochimiquement à l'interface n-InSe/po1yiodure cuivreux conduisant à un type de jonction complexe semiconducteur modifié/électrolyte. La morphologie, la composition chimique et la structure cristalline de cette interphase ont été caractérisées par MEB, EDAX, diffraction des rayons X sous incidence rasante, ESCA et SIMS. Un ensemble de techniques spectroscopiques telles que la photoréponse spectrale, la photoréflection liées à des mesures photoélectrochimiques et d'EBIC a été utilisé pour déterminer le mécanisme de transport de charge aux interfaces.