Propriétés photovoltaïques de la jonction poly(méthyl-3-thiophène) – Cd ZnS (Spray)

¹ Laboratoire des Semiconducteurs et d’Énergie Solaire, Facultés des Sciences, Université Cheikh Anta Diop, Dakar Fann, Sénégal ;
² Laboratoire des Matériaux Photoconducteurs, Université de Montpellier II, 34095 Montpellier Cedex, France.

Résumé

Nous avons réalisé des cellules photovoltaïques en couches minces par polymérisation directe du poly(méthyl-3-thiophène) sur une couche de CdZnS obtenue par pulvérisation chimique réactive. Les caractéristiques courant - tension sont étudiées pour différentes températures ainsi que les courbes capacité - tension pour différentes fréquences. Les propriétés à l’obscurité et sous éclairement sont analysées en termes de hauteur de barrière, de mécanisme de conduction et de réponse spectrale.

Abstract

We have made photovoltaic cells by a direct polymerisation of poly(3-methylthiophene) onto a sprayed CdZnS layer. The dark intensity-voltage at different temperature and the capacity-voltage at different frequencies characteristics were measured. Forward dark current is described by multistep tunneling mechanism. The built in potential deduced from C^-2-V measurement is 0.8 V. Under white illumination (60 mW.cm^-2), the open circuit voltage is close to 320 V and the short circuit current is 0.25 mA.cm^-2, the fill factor been 0.43. Spectral response indicates that all space charge region is located in the CdZnS layer. Photovoltaic properties of such junctions could lead, after improvement to very cheap photovoltaic cells.