New functionalized oligothiophenes. Properties and applications to photodetection

Telemecanique/DRD, 33 bis av du Maréchal-Joffre, F-92002 Nanterre; 2 Laboratoire d’ionique et d’électrochimie du solide, ENSEEG/INPG, BP 75, F-38402 St-Martin-d’Hères, France.

Abstract

A series of oligothiophenes nT(up to 6T) substitued at the ends of the chain by electronic donors(D) or acceptors(A) has been prepared. The electrochemical study of the soluble species allowed us to quantify the effect of substituents. The optical properties of the compounds have shown the existence of charge transfers at the excited state. The semiconducting properties of thin films have been investigated in the aim of applications in electronic devices. The photosensiblity in symmetrical and unsymmetrical contacts has been studied in visible area. The low junction yield (18%) suggests substantial trapping and recombination rate.

Résumé

Une série d’oligothiophènes nT (jusqu’au 6Τ) substitués en bouts de chaîne par des accepteurs(A) ou des donneurs(D) électroniques a été préparée. L’étude électrochimique des espèces solubles a permis de quantifier l’effet des substituants. Les propriétés optiques de ces composés mettent en évidence l’existence de transferts de charge à l’état excité. Les propriétés semiconductrices de couches minces ont été évaluées dans la perspective d’applications à des dispositifs électroniques. La photosensibilité en contacts symétriques et dissymétriques a été étudiée dans le domaine du visible. Le rendement de jonction relativement faible (18 %) suggère un taux de piégeage et de recombinaison important.