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J. Chim. Phys.
Volume 92, 1995
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| Page(s) | 871 - 874 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jcp/199592871 | |
| Published online | 29 May 2017 | |
J. Chim. Phys., Vol. 92 (1995), pp. 867–870
Application de poly(3-octylthiophène) (P3OT) à la microélectronique
France Télécom/CNET, BP 98, F-38243 Meylan Cedex, France.
Le dopage de films de P3OT en présence de dérivés nitrosyles nous a permis d'obtenir des résines compatibles avec les contraintes de la microélectronique. Nous avons ainsi réalisé des lignes de 0.2 µm de résolution, en lithographie E-Beam.
Abstract
To make P3OT films compatible with microelectronic constraint, we have investigated organic dopants such as nitrosyl compounds. Lines of about 0.2 µm of resolution have been obtained using E-Beam lithography.
Key words: polyoctylthiophene / nitrosyl compounds / E-Beam lithography
© Elsevier, Paris, 1995