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J. Chim. Phys.
Volume 92, 1995
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Page(s) | 967 - 970 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jcp/1995920967 | |
Published online | 29 May 2017 |
Étude de l’orientation et de la structure de films de sexithiophène (6T) déposés sur les surfaces de SiO2 et de SiH/Si
1
Laboratoire des matériaux moléculaires, CNRS, 2, rue Henri-Dunant, 94320 Thiais, France.
2
CECM, 15, rue Georges-Urbain, 94400 Vitry-sur-Seine, France.
L’influence de la surface du subtrat vis à vis de l'orientation et de la structure de films de 6T a été étudiée par spéctroscopie UV-VIS et par diffraction de rayons X rasants. Les spectres contiennent trois structures correspondant à trois populations de molécules ayant des environnements différents. La structure des films sur SiO2 révèle de faibles interactions avec le substrat alors que le substrat SiH/Si induit une organisation mésoscopique spécifique en relation avec la qualité de la surface initiale.
Abstract
The influence of the substrate surface on the orientation and the structure of 6T films is investigated by UV-Vis spectroscopy and X-Rays diffraction. The spectra contain generally three features corresponding to three populations of molecules having differents environments. The structure of 6T/SiO2 films indicates weak interactions with the substrate whereas the SiH/Si substrate induces a particular mesoscopic organization depending on the initial surface quality.
Key words: sexithiophene / Silica / SiH / Silicon / orientation
© Elsevier, Paris, 1995