Utilisation d'une couche isolante ferroélectrique (PZT) pour l'amélioration des transistors MISFET organiques

Electrical characteristics improvement of organic MISFET by using a ferroelectric (PZT) insulating layer

¹ IEMN DHS-USTL, UMR 9929 du CNRS, avenue Poincaré, BP. 69, 59652 Villeneuve-d'Ascq cedex, France
² LAMAC-UVHC, 59600 Maubeuge, France
³ LEMCEL, Université du Littoral, Côte d'Opale, rue Louis David, BP. 689, 62228 Calais cedex, France

Résumé

Le travail présenté concerne la réalisation de transistors à effet de champ MISFET à couche active d'oligomères de sexithiophène (6T). Dans cette étude, nous utilisons comme isolant un film ferroéléctrique : le Pb(Zr,Ti)O3 (PZT). La permittivité élevée du matériau montre une amélioration des performances (diminution des tensions de fonctionnement d'un ordre de grandeur, augmentation de la transconductance) et permet d'envisager un effet mémoire.

Abstract

This work concerns the realization of an organic MISFET transistor based on an active layer of sexithiophene (6T). In this study, a ferroelectric layer of Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) is used as the insulating layer of the MISFET. An improvement of performances results of the high permittivity of the material: driving voltage decreased by a factor ten, transconductance increase. A memory effect is thinkable.