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Issue
J. Chim. Phys.
Volume 95, Number 6, June 1998
Page(s) 1449 - 1452
DOI http://dx.doi.org/10.1051/jcp:1998302
DOI: 10.1051/jcp:1998302


J. Chim. Phys. Vol. 95, N°6  p. 1449-1452

Étude à basse température de la magnétorésistance du polyparaphénylène implanté

A. Bellati1, A. Moliton1, B. Lucas1, B. Guille1 and B. François2

1  UMOP, Faculté des Sciences, 123 avenue Albert Thomas, 87060 Limoges cedex, France
2  Institut Charles Sadron, CNRS, 6 rue Boussingault, 67083 Strasbourg cedex, France

Abstract
The magnetoresistance of implanted polyparaphenylene films (E = 30 keV, 10 15 ions/cm 2 < D < 5 $\times$ 10 16 ions/cm 2) is negative in the low temperature range, whereas its sign is positive for higher temperature when the fluence is sufficiently low; the negative component is attributed to localized states which appear during implantation with high fluence.

Résumé
La magnétorésistance MR de films de polyparaphénylène implantés avec des ions césium de 30 keV à différentes fluences D (10 15 ions/cm 2 < D < 5 $\times$10 16ions/cm 2) présente un signe négatif à basse température alors qu'un signe positif apparaît du côté des températures plus élevées lorsque la fluence est suffisamment petite ; la composante négative de MR est attribuée à des états fortement localisés qui sont favorisés par une fluence élevée.


Key words: polyparaphénylène, magnétorésistance, implantation
Contents

© EDP Sciences 1998