N° 35. — Application de la théorie des vitesses de réaction au marquage des hétérogénéités chimiques et cristallines dans le silicium^(*)

Département Physique, Chimie, Métallurgie du Centre National d’Études des Télécommunications, Issy-les-Moulineaux, France.

Résumé

Cette étude entreprend de généraliser la théorie du marquage des irrégularités superficielles du silicium et d’en ramener les divers aspects (attaques chimiques ou physiques des surfaces) à un schéma général directement interprétable par la théorie des vitesses de réaction. Les particularités de chaque mode d’attaque se définissent d’après des caractères physicochimiques stricts : facteurs électrochimiques internes ou externes, facteurs géométriques ou mécaniques, transport des réactifs. De ce point de vue, le marquage chimique des dislocations et le marquage des jonctions n’apparaissent pas comme essentiellement différents.

Par contre, les marquages physiques (évaporation, dissolution) relèvent d’un tout autre mécanisme et ne peuvent être considérés comme des marquages ponctuels.

De nombreuses figures permettent de présenter brièvement les principaux résultats obtenus dans ce domaine.