Interprétation des caractéristiques “courant-tension" dans les structures métal/polymère conducteur/métal

J-V investigations in metal/conducting polymer/metal contact

¹ IEMN, DHS, USTL-UMR 9929 du CNRS, avenue Poincaré, BP. 69, 59652 Villeneuve-d'Ascq cedex, France
² LEMCEL, Université du Littoral, rue Louis David, BP. 689, 62228 Calais cedex, France

Résumé

Le travail présenté concerne l'interprétation des caractéristiques courant-tension dans les diodes électroluminescentes à couche active polymères conducteurs réalisées à partir du poly(N-butylcarbazole) (PBuC) et du poly(N-octylthiophène) (P3OT). La caractérisation électrique de ces diodes est effectuée en fonction de différents paramètres (épaisseur et température) pour le PBuC et en régime dynamique pour le P3OT. A température ambiante et au dessus, le courant dans les structures PBuC s'interprète par le modèle d'émission-diffusion Richardson-Schottky au dessus de la barrière ITO/PBuC . A basse température, les résultats correspondent à une émission de type tunnel. Avec les structures P3OT, le courant est limité par l'interface POT/Al qui se comporte comme un contact Schottky.

Abstract

In this paper, current-voltage characteristics are investigated in LED formed with active layers of conducting polymers: poly(N-butylcarbazole) (PBuC) and poly(N-octylthiophene) (P3OT). We measure current versus voltage for different parameters (thickness and temperature) with the PBuC LED. Measurements are made with ac current on P3OT. At room and lower temperatures, emission-diffusion Richardson-Schottky model can explain the PBuC LED current above ITO/PBuC gate. At low temperatures, the results are in agreement with tunneling effect. With P3OT LED, the current is limited by P3OT/Al interface that acts like Schottky diode.