Étude à basse température de la magnétorésistance du polyparaphénylène implanté

¹ UMOP, Faculté des Sciences, 123 avenue Albert Thomas, 87060 Limoges cedex, France
² Institut Charles Sadron, CNRS, 6 rue Boussingault, 67083 Strasbourg cedex, France

Abstract

The magnetoresistance of implanted polyparaphenylene films (E = 30 keV, 10¹⁵ ions/cm² < D < 5× 10¹⁶ ions/cm²) is negative in the low temperature range, whereas its sign is positive for higher temperature when the fluence is sufficiently low; the negative component is attributed to localized states which appear during implantation with high fluence.

Résumé

La magnétorésistance MR de films de polyparaphénylène implantés avec des ions césium de 30 keV à différentes fluences D (10¹⁵ ions/cm² < D < 5×10¹⁶ions/cm²) présente un signe négatif à basse température alors qu'un signe positif apparaît du côté des températures plus élevées lorsque la fluence est suffisamment petite ; la composante négative de MR est attribuée à des états fortement localisés qui sont favorisés par une fluence élevée.