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J. Chim. Phys.
Volume 57, 1960
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Page(s) | 507 - 517 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jcp/1960570507 | |
Published online | 28 May 2017 |
Étude de l’échange électronique à l’interface semiconducteur — Solutions électrolytiques non aqueuses
Laboratoire de Physique de l’École Normale Supérieure, Paris, 24, rue Lhomond, France.
Un traitement théorique du problème de l’échange électronique à la surface d’un semi-conducteur, basé sur la connaissance des propriétés intrinsèques du semiconducteur et la position du niveau de FERMI, permet de prévoir le comportement des différents types de semiconducteurs en face de solutions redox non aqueuses. La mesure de la variation de la surtension en fonction de la densité du courant pour les systèmes redox Ti3+/Ti4+ et I’3/I' sont en très bon accord avec les prévisions théoriques. L’effet de la lumière consiste en une variation instantanée du potentiel qui peut être expliquée par la création de porteurs libres, et ensuite une variation progressive en fonction du temps qui serait liée au processus de piégeage et de recombinaison sur les états de surface.
© Paris : Société de Chimie Physique, 1960