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J. Chim. Phys.
Volume 69, 1972
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Page(s) | 16 - 22 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jcp/1972690016 | |
Published online | 28 May 2017 |
Sondes à Tio2 : chemisorption et détection d’atomes d’hydrogène
Centre de Cinétique Physique et Chimique du CNRS - Route de Vandœuvre, 54-Villers-les-Nancy, France.
Pour que la variation de conductivité résultant de la chimisorption d ’atomes d’hydrogène sur un film de TiO2 soit réversible, il faut que le film soit activé. Un tel détecteur peut fonctionner à la température ordinaire.
Les potentiels d’ionisation des défauts qui participent à la conductivité du semi-conducteur sont déterminés et on propose un modèle qui explique l'activation de TiO2 en fonction de ces défauts.
Quand des atomes d’hydrogène sont adsorbés sur la surface du semi-conducteur la variation de conductivité est expliquée par la créaLion d’une couche dipolaire superficielle qui diminue le potentiel d’ionisation des défauts.
Abstract
In order for the variation in conductivity, resulting from the chemisorption of hydrogene atoms on a film of TiO2, to be reversible, the film must be activated. Such a detector has been shown to work at room temperature.
The ionisation potentials of defects participating in the conductivity of the semiconductor are determined, and a model is proposed which accounts for the activation of TiO2 in terms of these defects.
When H atoms are adsorbed on the surface, the variation in conductivity of TiO2 is explained by the creation of a superficial dipolar layer which decreases the ionisation poten tial of defects.
© Paris : Société de Chimie Physique, 1972