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J. Chim. Phys.
Volume 86, 1989
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| Page(s) | 905 - 910 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jcp/1989860905 | |
| Published online | 29 May 2017 | |
Electronic structure of Oxo-Thio- and seleno-vanadyl porphyrins : Xa-SW calculations of ESR g-tensors and xanes spectra
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Laboratoire de Chimie théorique, U.A. au CNRS 510, Université de Nancy I, B.P. 239, 54506 Vandœuvre-les-Nancy, (France)
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Laboratori Nazionali di Frascati, INFN 00044 Frascati, (Italy)
On étudie la structure électronique d'une famille de porphyrines de vanadyle à l'aide de calculs de type SCF-Xα-SW. Les tenseurs g de résonance de spin électronique sont calculés et comparés aux valeurs expérimentales. Les seuils de d’absorption des rayons X sont simulés en utilisant le programme "extended-continuum’ qui permet en outre l'emploi de différents potentiels locaux.
Résumé
The electronic structure of some vanadyl porphyrins is studied with the help of SCF - Xα - SW computations.The electron spin resonance g-tensors are computed and compared to experimental values. The X-ray absorption spectra near the edge of photoionisation are simulated using an "extended-continuum" programme which is able to work with several kinds of local potentials.
© Paris : Société de Chimie Physique, 1989