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J. Chim. Phys.
Volume 88, 1991
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| Page(s) | 2223 - 2228 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jcp/1991882223 | |
| Published online | 29 May 2017 | |
Passivation des impuretés et des défauts du silicium par implantation d’ions hydrogène
1 Centre de recherches nucléaires (IN2P3), Laboratoire Phase UPR du CNRS n° 292, 23, rue du Loess, 67037 Strasbourg Cedex, France ;
2 Laboratoire de physique des semiconducteurs et de l’énergie solaire (PSES), École normale supérieure de Takaddoum, avenue Oued Akreuch, BP 5118, Rabat, Maroc.
Nous montrons dans ce travail que l’hydrogène, qui est un élément léger diffusant rapidement dans le silicium, passive non seulement les liaisons pendantes et les défauts cristallographiques inter-ou intra-grains dans les matériaux polycristallins, mais également les impuretés chimiques qui sont responsables en tant que centres de recombinaison de la dégradation des propriétés de transport du matériau.
Abstract
We show in this work that a light element as hydrogen, which diffuses easily in silicon, can passivate as well crystallographic defects in polycrystalline substrates as chemical impurities responsible of the degradation of carrier transport in the material.
© Elsevier, Paris, 1991