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J. Chim. Phys.
Volume 88, 1991
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| Page(s) | 2217 - 2222 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jcp/1991882217 | |
| Published online | 29 May 2017 | |
Effets des traitements thermiques sur les propriétés physico-chimiques des bicristaux de silicium
1 Laboratoire de physique des semiconducteurs et de l’énergie solaire (PSES), École normale supérieure de Takaddoum, av Oued Akreuch, BP 5118, Rabat, Maroc ;
2 Centre de recherches nucléaires (IN2P3), laboratoire Phase, UPR du CNRS n° 292, 23, rue du Loess, 67037 Strasbourg Cedex, France.
Les analyses localisées en IR et SIMS effectuées sur des bicristaux de silicium Σ9, Σ13 et Σ25 ont montré que les recuits thermiques induisent une accumulation d’oxygène et de carbone aux joints de grains. Ces impuretés s’associent entre elles et forment des complexes responsables de l’augmentation de l’activité électrique des joints.
Abstract
IR and SIMS microana1ysis performed on Σ9, Σ13 and Σ25 silicon bicrystals have shown that thermal annealings induce an accumulation of oxygen and carbon at grain boundaries. These impurities can interact and form complexes which are responsible for the increase of grain boundaries electrical activity.
© Elsevier, Paris, 1991