| Issue |
J. Chim. Phys.
Volume 66, 1969
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| Page(s) | 1103 - 1108 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jcp/1969661103 | |
| Published online | 28 May 2017 | |
Pouvoir thermoélectrique du sulfure cuivreux
Institut du Génie Chimique et Laboratoire d’Électrochimie de la Faculté des Sciences de Toulouse, 118, Route de Narbonne, 31-Toulouse 04., France.
La mesure du pouvoir thermoélectrique du sulfure cuivreux, semi-conducteur de type p, est envisagée ici. La concentration, en trous positifs dans le cristal, est réalisée à l'aide d’une pile Cu — CuI — Cu2S — Pt. Les résultats expérimentaux, à 400 °C, sont confrontés à ceux, théoriques, que laisse prévoir la statistique de FERMI-DIRAC, et sont en bon accord avec ceux-ci.
Abstract
The investigation of the thermal emf coefficient of cuprous sulphide, an electron-hole semiconductor, is considered. The electron hole concentration of the crystal lattice is assumed by a cell Cu — CuI — Cu2S—Pt. The experimental results are compared with the theorical values of FERMI-DIRAC’S statistic, and are in agreement.
© Paris : Société de Chimie Physique, 1969