N° 144. — Conductivité électrique du séléniure de cuivre

Institut du Génie Chimique et Laboratoire d'Electrochimie de la Faculté des Sciences de Toulouse, 118, route de Narbonne, 31-Toulouse-04 , France.

Résumé

Le contrôle électrochimique de l’indice stœchiométrique du séléniure cuivreux autorise la mesure de la conductivité électronique de ce composé à 400 °C, en fonction de la composition. On calcule la variation du libre parcours moyen des trous électroniques avec l’indice stoechiométrique. L’influence de la température sur la conductivité électrique est étudiée pour du séléniure cuivreux mis en présence de cuivre métallique, puis de sélénium.

Abstract

Checking the stœchiometric index of cuprous selenide by an electrochemical mean allows to measure the electronic conductivity of this compound at 400 °C as a function of its composition. The mean free path of the electronic holes is calculated as a function of the stœchiometric index. The variation of the electrical conductivity with temperature is considered in the case of cuprous selenide in contact with metallic copper and then with selenium.