Distribution des états d’interface et centres piégés associés aux joints de grains dans du silicium polycristallin : effets des recuits thermiques

¹ Laboratoire de physique des semiconducteurs et de l’énergie solaire, ENS Takaddoum, BP 5118, Rabat, Maroc ;
² Laboratoire de photoélectricité, Faculté des sciences et techniques de Saint-Jérôme, 13397 Marseille Cedex 13, France.

Résumé

En utilisant la méthode de déconvolution des caractéristiques I-V, nous avons déterminé la hauteur de barrière de potentiel [math] et la distribution des états d’interface N(E) dans la bande interdite aux joints de grains (G.B.’s) dans le silicium polycristallin. Nous avons montré que NIE) n’est pas uniforme et que les recuits thermiques, effectués sous flux d’argon à des températures supérieures à 500°C, entrainent une augmentation de [math] et de NIE) et font déplacer le centre de cette dernière vers le milieu de la bande interdite. Ces évolutions ont été confirmées par des analyses DLTS effectuées sur les mêmes joints de grains.

Abstract

By means of I-V characteristics deconvolution method, we have determined the potential barrier height [math] and the distribution of interface states N(E) in the bandgap at polycrystalline silicon grain boundaries (G.B.’s). We have shown that N(E) is not uniform and thermal annealings, processed in argon atmosphere at more than 500°C, invo1ve an increase in E° and N(E) and shift the distribution center towards the midgap. This evolution is confirmed by DLTS analysis which have been carried out on the same grain boundaries.