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J. Chim. Phys.
Volume 89, 1992
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| Page(s) | 1279 - 1284 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jcp/1992891279 | |
| Published online | 29 May 2017 | |
Implantation ionique dans le parasexiphényle : effet des paramètres d’implantation sur les propriétés du matériau déposé en couches minces
1 CNET, LAB/OCM/TEP, route de Trégastel, BP 40, 22301 Lannion Cedex, France ;
2 LPC-IMN, rue de la Houssinière, 44072 Nantes, France ;
3 LEPOFI, Université de Limoges, 123, avenue A Thomas, 87060 Limoges, France.
L’implantation ionique du parasexiphényle avec deux ions alcalins très différents en grosseur a permis de mettre en lumière le rôle de la taille de l’ion sur les propriétés du matériau après implantation. Le césium provoque des dégradations plus importantes, c’est-à-dire que la dose plafond est atteinte des 1014 ions/cm2. Il y a réarrangement après rupture des liaisons C-H vers un matériau comportant du carbone graphite, voire diamantique et incorporation d’oxygène et d’azote lors de la remise des échantillons à l’atmosphère.
Abstract
Two different alkali ions were used to study the role of the ion size on the properties of parasexiphenyl after ion implantation. Cesium ions lead to more pronounced (degradations, that is the ceiling fluence is reached with fluence as low as 1014 ions/cm2. Broken C-H bonds would rearrange themselves into a carbon graphite rich materials or even a diamond like carbon. Oxygen and nitrogen are incorporated upon taking the samples to open air.
© Elsevier, Paris, 1992