| Issue |
J. Chim. Phys.
Volume 89, 1992
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| Page(s) | 1313 - 1318 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jcp/1992891313 | |
| Published online | 29 May 2017 | |
J. Chim. Phys., Vol. 89 (1992), pp. 1313–1318
Effet de la température d’implantation sur les propriétés électriques du PPP
1 LEPOFI, Faculté des Sciences, 123, avenue Albert Thomas, 87060 Limoges Cedex, France ;
2 CNET/LAB/OCM/MPA, 22301 Lannion Cedex, France.
L’effet de la température d’implantation a été essentiellement considéré pour les basses températures : la mobilité des porteurs n’est finalement que légèrement améliorée par rapport à celle obtenue à température ambiante.
Abstract
Implantation temperature effect is essentially studied for low temperature (N2l) : carrier mobility is weakly increased in comparison with room temperature results.
© Elsevier, Paris, 1992