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J. Chim. Phys.
Volume 78, 1981
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Page(s) | 341 - 345 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jcp/1981780341 | |
Published online | 29 May 2017 |
Effet Compton et structures électroniques. I. Corrections à l'approximation de l'impulsion, traitement du défaut Compton
Laboratoire Rayonnements et Structures, Faculté des Sciences, Ile du Saulcy, 57000, Metz.
Les chocs inélastiques d'électrons ou de rayons X conduisent à des sections efficaces différentielles dont peut rendre compte l’approximation de l’impulsion, en établissant une relation simple entre les intensités diffusées et la densité d’impulsions p ([math]) des électrons de la cible.
Les écarts à cette théorie, ou défauts Compton, peuvent être interprétés par un traitement de perturbation. Ce traitement fait notamment intervenir certaines intégrales, couramment rencontrées dans des calculs de fonctions d'ondes moléculaires.
Abstract
X-Ray or electronic inelastic collisions lead to ionization cross-sections for which an impulse theory exhibits a simple relationship between scattered intensities and the electronic momentum density p ([math]) of the target. The observed discrepancies, or Compton defects, can be evaluated by a perturbation treatment, which further involves some integrals commonly used in molecular wave functions calculations.
© Paris : Société de Chimie Physique, 1981