Effet compton et structures électroniques. III — comportement du défaut compton pour des orbitales s et p

Laboratoire Rayonnements et Structures, Ile du Saulcy, 57045 Metz-Cedex, France.

Résumé

La méthodologie proposée dans les précédents articles de cette série est appliquée sous une forme remaniée à la description du processus du choc Compton subi par un électron d’un ion hydrogénoïde dans un état excité 2s ou 2p.

Elle permet notamment de prédire le signe du défaut Compton par le simple examen d’intégrales d’énergie potentielle et finalement, par les propriétés de recouvrement d’orbitales. Ainsi, pour une orbitale quelconque de nombres quantiques l + m, ce signe correspond directement à la parité de l + m.

Abstract

The treatment already described in foregoing articles of this serie is applied here in a modified form to Compton collisions involving an excited 2s or 2p hydrogenic state.

An explanation of the sign of the Compton defect can be proposed from the simple investigation of some potential energy integrals or, in a final step, through orbital overlapping properties. For any atomic orbital having l and m quantum numbers, the Compton defect thus appears negative or positive according to the parity of (l + m).