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J. Chim. Phys.
Volume 78, 1981
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Page(s) | 487 - 491 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jcp/1981780487 | |
Published online | 29 May 2017 |
Effet Compton et structures électroniques. II. Défaut Compton de l'hydrogène et des ions hydrogénoïdes 1s
Laboratoire Rayonnements et Structures, Faculté des Sciences, Ile du Saulcy, 57000 METZ.
Une théorie du défaut Compton, exposée dans le premier article de cette série, est appliquée au cas de l'hydrogène et des ions hydrogénoïdes dans leur état fondamental 1s. Par référence aux calculs exacts correspondants au traitement de Born, les résultats obtenus sont encore excellents pour des transferts d'impulsion comparables aux quantités de mouvement des électrons-cible.
La méthologie proposée, qui fournit une description et une interprétation physique simple du défaut, apparait ainsi susceptible d'être étendue à l'étude et à l'interprétation des profils Compton de cibles atomiques et moléculaires.
Abstract
A theory for the Compton defect, presented in the preceding article, has been applied to the 1s ground-state of hydrogenic systems. With respect to exact first-Born calculations, an excellent agreement is observed even for those values of momentum transfer dose to the target electrons average momentum.
© Paris : Société de Chimie Physique, 1981