Caractérisation - Etude électrique et optique de ln₂O₃ en couches minces préparées par évaporation thermique réactive

¹ Laboratoire de Spectronomie Physique Appliquée; Département de Physique, Faculté des Sciences de Rabat, Avenue ibn Batouta, Rabat-Maroc, Maroc.
² Laboratoire d'Etude des Matériaux pour la Microélectronique, Cours de la Libération, 33405 Talence Cedex, France, France.

Résumé

Les couches minces d'oxyde d'indium sont obtenues par évaporation thermique d'un mélange pulvérulent d'In₂O₃ et d'indium métallique dans une atmosphère d'oxyéne sous une pression de 2.10^-4 mbar, suivie par un traitement thermique sous vide secondaire juste après dépôt.

Dans les conditions optimales d évaporation, nous avons obtenu une couche d'In₂O₃ semiconductrice de type n ayant une résistivité ρ = 10^-3 Ω cm et une transmission optique supérieure a 80% dans le visible . Ces couches cristallisées ont une structure cubique (a = 1,0118 nm) et une orientation préférentielle suivant l'axe [111] pour les couches minces d’épaisseur 500 à 700 nm.

Abstract

Thin films of indium oxide were prepared by evaporating the pulverulent mixture of indium oxide and metallic indium in an O₂ atmosphere of 2.10^-4 mbar followed by heat treatment in a secondary vacuum just after depositon.

Under optimum conditions of evaporation, an n-type semiconducting In₂O₃ film with a resistivity ρ = 10^-3 Ω cm and a transmittance of more than 80 % in visible region was obtained . The films showed a cubic structure with a= 1,0118 nm and a preferred orientation along the [111] axis for a thickness of 500-700 nm.