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J. Chim. Phys.
Volume 95, Number 6, June 1998
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| Page(s) | 1483 - 1486 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jcp:1998310 | |
Utilisation de faisceaux d'ions oxygène réactifs pour la gravure de polymères utilisables en optoélectronique
Oxygene reactive ion beam etching in polymer optoelectronics
1
UMOP, Faculté des Sciences, 123 avenue Albert Thomas, 87060 Limoges cedex, France
2
LCOP, Université de Pau, Helioparc, 2 avenue du Président Angot, 64000 Pau, France
La gravure d'un polyimide fluoré (6FDA-ODA) a été réalisée par un faisceau parallèle d'ions oxygène réactifs (Réactive Ion Beam Etching : RIBE). Pour une énergie des ions de 5keV et à des densités de courant de l'ordre de 0.5mA/cm2 une vitesse de gravure de 500 Å/mn a été obtenue pour ce matériau. Avec le PPP un comportement voisin a été également observé.
Abstract
Reactive Ion Beam Etching (RIBE) of a fluorinated polyimide (6FDA-ODA) has been achieved with Oxygene ions. A 5keV and 0.5mA/cm2 ion beam leads to a 500 Å/mn sputtering speed of the material. A similar behavior was also observed in the case of PPP.
Key words: RIBE / pulvérisation / polyimide / polyparaphénylène
© EDP Sciences, 1998